Número de Producto del Fabricante:
SI8481DB-T1-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI8481DB-T1-E1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 9.7A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Inventario:
12916298
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ENVIAR
SI8481DB-T1-E1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen III
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
21mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2500 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Paquete / Caja
4-UFBGA
Número de producto base
SI8481
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI8481DB-T1-E1CT
SI8481DB-T1-E1TR
SI8481DB-T1-E1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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