Número de Producto del Fabricante:
SI7956DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7956DP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventario:
6414 Pcs Nuevos Originales En Stock
12914919
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ENVIAR
SI7956DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A
rds activados (máx.) @ id, vgs
105mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
26nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
1.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base
SI7956
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7956DP-T1-GE3TR
SI7956DP-T1-GE3DKR
SI7956DP-T1-GE3CT
SI7956DPT1GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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