Número de Producto del Fabricante:
SI7703EDN-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7703EDN-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
12913515
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ENVIAR
SI7703EDN-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
48mOhm @ 6.3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 800µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SI7703
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7703EDN-T1-E3DKR
SI7703EDNT1E3
SI7703EDN-T1-E3TR
SI7703EDN-T1-E3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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