SI6467BDQ-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI6467BDQ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI6467BDQ-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 6.8A (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
12915491
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SI6467BDQ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.5mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
850mV @ 450µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 4.5 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSSOP
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número de producto base
SI6467

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI6467BDQ-T1-GE3CT
SI6467BDQT1GE3
SI6467BDQ-T1-GE3DKR
SI6467BDQ-T1-GE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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