Número de Producto del Fabricante:
SI5915BDC-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI5915BDC-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 8V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventario:
12912953
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI5915BDC-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
70mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
420pF @ 4V
Potencia - Máx.
3.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos del proveedor
1206-8 ChipFET™
Número de producto base
SI5915
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI5935CDC-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
11398
NÚMERO DE PIEZA
SI5935CDC-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.15
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI1553CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
SI1016CX-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V SC89
SI6975DQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
