Número de Producto del Fabricante:
SI5475DC-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI5475DC-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 5.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventario:
12919663
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ENVIAR
SI5475DC-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
31mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
450mV @ 1mA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
1206-8 ChipFET™
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
SI5475
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RT1A050ZPTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
7984
NÚMERO DE PIEZA
RT1A050ZPTR-DG
PRECIO UNITARIO
0.33
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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