Número de Producto del Fabricante:
SI5415EDU-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI5415EDU-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
Inventario:
12919693
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ENVIAR
SI5415EDU-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.8mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4300 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® ChipFet Single
Paquete / Caja
PowerPAK® ChipFET™ Single
Número de producto base
SI5415
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI5415EDU-T1-GE3CT
SI5415EDU-T1-GE3TR
SI5415EDU-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI5419DU-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
13890
NÚMERO DE PIEZA
SI5419DU-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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