Número de Producto del Fabricante:
SI5406CDC-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI5406CDC-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
Descripción Detallada:
N-Channel 12 V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventario:
12965588
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ENVIAR
SI5406CDC-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
1206-8 ChipFET™
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
SI5406
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI5406CDC-T1-GE3DKR
SI5406CDC-T1-GE3CT
SI5406CDC-T1-GE3TR
SI5406CDCT1GE3
SI5406CDC-T1-GE3TR-N
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI5418DU-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1882
NÚMERO DE PIEZA
SI5418DU-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.45
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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