Número de Producto del Fabricante:
SI4825DDY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4825DDY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 14.9A (Tc) 2.7W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
26641 Pcs Nuevos Originales En Stock
12911937
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI4825DDY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2550 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.7W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4825
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4825DDY-T1-GE3TR
SI4825DDY-T1-GE3CT
SI4825DDY-T1-GE3DKR
SI4825DDY-T1-GE3-DG
SI4825DDYT1GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF720
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
IRFD120
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
IXFQ14N80P
MOSFET N-CH 800V 14A TO3P
