Número de Producto del Fabricante:
SI4455DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4455DY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Descripción Detallada:
P-Channel 150 V 2A (Ta) 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
32101 Pcs Nuevos Originales En Stock
12963205
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI4455DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
295mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1190 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4455
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4455DY-T1-GE3TR
SI4455DY-T1-GE3-DG
SI4455DY-T1-GE3DKR
SI4455DY-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI9410BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
SI7302DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
SI3441BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP
