SI4451DY-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI4451DY-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI4451DY-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

12918010
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SI4451DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.25mOhm @ 14A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 850µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4451

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SI4423DY-T1-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
3787
NÚMERO DE PIEZA
SI4423DY-T1-E3-DG
PRECIO UNITARIO
1.01
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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