Número de Producto del Fabricante:
SI4200DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4200DY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12913781
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ENVIAR
SI4200DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
415pF @ 13V
Potencia - Máx.
2.8W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
SI4200
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4200DY-T1-GE3TR
SI4200DY-T1-GE3-DG
SI4200DY-T1-GE3CT
SI4200DY-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI4214DDY-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
9839
NÚMERO DE PIEZA
SI4214DDY-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.21
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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