Número de Producto del Fabricante:
SI4162DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4162DY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 19.3A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
29878 Pcs Nuevos Originales En Stock
12915380
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI4162DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1155 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4162
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4162DY-T1-GE3TR
SI4162DY-T1-GE3CT
SI4162DY-T1-GE3DKR
SI4162DYT1GE3
SI4162DY-T1-GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFI740GPBF
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3
PMN55ENEAX
MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP
NVTFS5811NLWFTWG
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
