Número de Producto del Fabricante:
SI4102DY-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4102DY-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 3.8A (Tc) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12916890
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI4102DY-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
158mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
370 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4102
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI4100DY-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
7295
NÚMERO DE PIEZA
SI4100DY-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIE878DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 45A 10POLARPAK
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
SQ3419AEEV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
