Número de Producto del Fabricante:
SI3499DV-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI3499DV-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 8 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
7129 Pcs Nuevos Originales En Stock
12914236
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ENVIAR
SI3499DV-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
23mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
750mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±5V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
SI3499
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI3499DV-T1-GE3-DG
SI3499DVT1GE3
SI3499DV-T1-GE3TR
SI3499DV-T1-GE3CT
SI3499DV-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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