SI3437DV-T1-E3
Número de Producto del Fabricante:

SI3437DV-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI3437DV-T1-E3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 150 V 1.4A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventario:

15122 Pcs Nuevos Originales En Stock
12916185
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SI3437DV-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
510 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
SI3437

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI3437DV-T1-E3DKR
SI3437DV-T1-E3CT
SI3437DV-T1-E3TR
SI3437DVT1E3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SI7113ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK

vishay-siliconix

SI7380ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR170DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK

vishay-siliconix

SI1411DH-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6