Número de Producto del Fabricante:
SI2392DS-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI2392DS-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 3.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
Inventario:
12917398
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ENVIAR
SI2392DS-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
126mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
196 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
SI2392
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI2392DS-T1-GE3TR
SI2392DS-T1-GE3DKR
SI2392DS-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI2392ADS-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2773
NÚMERO DE PIEZA
SI2392ADS-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
FDN8601
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
20024
NÚMERO DE PIEZA
FDN8601-DG
PRECIO UNITARIO
0.35
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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