Número de Producto del Fabricante:
SI1315DL-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1315DL-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 900MA SOT323
Descripción Detallada:
P-Channel 8 V 900mA (Tc) 300mW (Ta), 400mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
Inventario:
12915681
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ENVIAR
SI1315DL-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
900mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
336mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
112 pF @ 4 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300mW (Ta), 400mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-70-3
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Número de producto base
SI1315
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1315DL-T1-GE3-DG
SI1315DL-T1-GE3TR
SI1315DL-T1-GE3DKR
SI1315DL-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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