Número de Producto del Fabricante:
SI1039X-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1039X-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 870mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventario:
12914807
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SI1039X-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
870mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
165mOhm @ 870mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
170mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-89 (SOT-563F)
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Número de producto base
SI1039
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1039X-T1-E3TR
SI1039XT1E3
SI1039X-T1-E3CT
SI1039X-T1-E3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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