Número de Producto del Fabricante:
IRLL110TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRLL110TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventario:
15402 Pcs Nuevos Originales En Stock
12913068
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ENVIAR
IRLL110TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
540mOhm @ 900mA, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
IRLL110
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IRLL110PBFDKR
*IRLL110TRPBF
IRLL110PBFTR
IRLL110PBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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