IRLD110PBF

Número de Producto del Fabricante:

IRLD110PBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRLD110PBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Descripción Detallada:

N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventario:

4444 Pcs Nuevos Originales En Stock

12905598

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IRLD110PBF Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4V, 5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

540mOhm @ 600mA, 5V

vgs(th) (máx.) @ id

2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

6.1 nC @ 5 V

Vgs (máx.)

±10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

250 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1.3W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

4-HVMDIP

Paquete / Caja

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Número de producto base

IRLD110

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

100

Otros nombres

*IRLD110PBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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