Número de Producto del Fabricante:
IRFR210PBF-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRFR210PBF-BE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
2984 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978019
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ENVIAR
IRFR210PBF-BE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IRFR210
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
742-IRFR210PBF-BE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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