IRFI634GPBF
Número de Producto del Fabricante:

IRFI634GPBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRFI634GPBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 5.6A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

961 Pcs Nuevos Originales En Stock
12881701
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRFI634GPBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
450mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
770 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
IRFI634

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRFI634GPBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-semi-diodes

FA57SA50LC

MOSFET N-CH 500V 57A SOT-227

stmicroelectronics

STD19NF20

MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK

vishay-siliconix

IRF630STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

stmicroelectronics

STW72N60DM2AG

MOSFET N-CH 600V 66A TO247