IRFBE20STRR

Número de Producto del Fabricante:

IRFBE20STRR

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRFBE20STRR-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Descripción Detallada:

N-Channel 800 V 1.8A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

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IRFBE20STRR Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

800 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1.8A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

6.5Ohm @ 1.1A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

530 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

-

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-263 (D2PAK)

Paquete / Caja

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Número de producto base

IRFBE20

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

800

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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