Número de Producto del Fabricante:
IRFBE20S
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRFBE20S-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12881247
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ENVIAR
IRFBE20S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
530 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRFBE20
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRFBE20S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STB7NK80ZT4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
4410
NÚMERO DE PIEZA
STB7NK80ZT4-DG
PRECIO UNITARIO
1.21
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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