Número de Producto del Fabricante:
IRF710SPBF
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRF710SPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 400 V 2A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12910678
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF710SPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
170 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRF710
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRF710SPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFH40N85X
MOSFET N-CH 850V 40A TO247
IRFR110TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IRFZ40
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB