IRF614STRRPBF
Número de Producto del Fabricante:

IRF614STRRPBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRF614STRRPBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

12907081
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRF614STRRPBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRF614

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
800

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
diodes

ZVN0540A

MOSFET N-CH 400V 90MA TO92-3

littelfuse

IXFK88N30P

MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA

vishay-siliconix

IRC730PBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220-5

vishay-siliconix

IRFI644G

MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3