IRF614STRRPBF

Número de Producto del Fabricante:

IRF614STRRPBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRF614STRRPBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Descripción Detallada:

N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

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12907081

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IRF614STRRPBF Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

250 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

2.7A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

2Ohm @ 1.6A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

8.2 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

140 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-263 (D2PAK)

Paquete / Caja

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Número de producto base

IRF614

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

IRF614STRRPBF-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

800

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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