2N7002-T1-E3
Número de Producto del Fabricante:

2N7002-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

2N7002-T1-E3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236

Inventario:

5188 Pcs Nuevos Originales En Stock
12905649
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ENVIAR

2N7002-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-236
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
2N7002

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2N7002-T1-E3TR
2N7002-T1-E3DKR
2N7002-T1-E3-DG
2N7002-T1-E3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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