VS-FB190SA10

Número de Producto del Fabricante:

VS-FB190SA10

Product Overview

Fabricante:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Número de pieza:

VS-FB190SA10-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 190A SOT227

Descripción Detallada:

N-Channel 100 V 190A (Tj) 568W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12917015

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

VS-FB190SA10 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

190A (Tj)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

6.5mOhm @ 180A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4.35V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

250 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

10700 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

568W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

SOT-227

Paquete / Caja

SOT-227-4, miniBLOC

Número de producto base

FB190

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

VS-FB190SA10-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

10

Otros nombres

FB190SA10-DG

FB190SA10

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

VS-FC420SA10

FABRICANTE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

CANTIDAD DISPONIBLE

4098

NÚMERO DE PIEZA

VS-FC420SA10-DG

PRECIO UNITARIO

14.52

TIPO DE SUSTITUCIÓN

MFR Recommended

NÚMERO DE PARTE

IXTN200N10T

FABRICANTE

IXYS

CANTIDAD DISPONIBLE

0

NÚMERO DE PIEZA

IXTN200N10T-DG

PRECIO UNITARIO

27.90

TIPO DE SUSTITUCIÓN

MFR Recommended

NÚMERO DE PARTE

IXFN200N10P

FABRICANTE

IXYS

CANTIDAD DISPONIBLE

37

NÚMERO DE PIEZA

IXFN200N10P-DG

PRECIO UNITARIO

17.53

TIPO DE SUSTITUCIÓN

MFR Recommended

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

vishay-siliconix

SI7115DN-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIR838DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHJ690N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7852DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8