Número de Producto del Fabricante:
FB180SA10
Product Overview
Fabricante:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Número de pieza:
FB180SA10-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventario:
12843939
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FB180SA10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 108A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
480W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
FB180
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Otros nombres
VS-FB180SA10-DG
VS-FB180SA10
VSFB180SA10-DG
*FB180SA10
VSFB180SA10
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NDP4060L
MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3
AONR21117
MOSFET P-CH 20V 26.5A/34A 8DFN
NVMFS6B03NLT1G
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN