TPH3202LD

Número de Producto del Fabricante:

TPH3202LD

Product Overview

Fabricante:

Transphorm

Número de pieza:

TPH3202LD-DG

Descripción:

GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN

Descripción Detallada:

N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)

Inventario:

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13446047

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TPH3202LD Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Transphorm

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

600 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

9A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

350mOhm @ 5.5A, 8V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

9.3 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±18V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

760 pF @ 480 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

65W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

4-PQFN (8x8)

Paquete / Caja

4-PowerDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

60

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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