Número de Producto del Fabricante:
TP65H480G4JSG-TR
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TP65H480G4JSG-TR-DG
Descripción:
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 3.6A (Tc) 13.2W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (5x6)
Inventario:
2915 Pcs Nuevos Originales En Stock
12948221
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ENVIAR
TP65H480G4JSG-TR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V
rds activados (máx.) @ id, vgs
560mOhm @ 3.4A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
13.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
3-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
3-PowerTDFN
Número de producto base
TP65H480
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
1707-TP65H480G4JSG-TR
1707-TP65H480G4JSG-DKR
1707-TP65H480G4JSG-CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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