Número de Producto del Fabricante:
TP65H035G4QS
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TP65H035G4QS-DG
Descripción:
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TOLL
Inventario:
13259168
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ENVIAR
TP65H035G4QS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperGaN®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TOLL
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
1707-TP65H035G4QSDKR
TP65H035G4QS-TR
1707-TP65H035G4QSCT
1707-TP65H035G4QSTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Certificación DIGI
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