Número de Producto del Fabricante:
XPW6R30ANB,L1XHQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
XPW6R30ANB,L1XHQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventario:
762 Pcs Nuevos Originales En Stock
12939599
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ENVIAR
XPW6R30ANB,L1XHQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
45A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3240 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DSOP Advance
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
XPW6R30
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
XPW6R30ANB,L1XHQ(O
264-XPW6R30ANBL1XHQCT
264-XPW6R30ANBL1XHQTR
264-XPW6R30ANBL1XHQDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
XPH6R30ANB,L1XHQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
9174
NÚMERO DE PIEZA
XPH6R30ANB,L1XHQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.70
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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