Número de Producto del Fabricante:
XPW4R10ANB,L1XHQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
XPW4R10ANB,L1XHQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 70A 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventario:
16106 Pcs Nuevos Originales En Stock
12949147
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ENVIAR
XPW4R10ANB,L1XHQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4970 pF @ 10 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DSOP Advance
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-XPW4R10ANB,L1XHQDKR
264-XPW4R10ANB,L1XHQTR
264-XPW4R10ANB,L1XHQCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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