Número de Producto del Fabricante:
TPN7R504PL,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPN7R504PL,LQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 38A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventario:
3126 Pcs Nuevos Originales En Stock
12920979
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TPN7R504PL,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
38A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2040 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
610mW (Ta), 61W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPN7R504
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-TPN7R504PLLQDKR
TPN7R504PL,LQ(S
264-TPN7R504PLLQTR
264-TPN7R504PLLQCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TPWR6003PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
TK110A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
SQ3410EV-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
