TPN4R203NC,L1Q
Número de Producto del Fabricante:

TPN4R203NC,L1Q

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

TPN4R203NC,L1Q-DG

Descripción:

MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

Inventario:

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TPN4R203NC,L1Q Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
23A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1370 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
700mW (Ta), 22W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPN4R203

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
TPN4R203NC

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
TPN4R203NCL1QDKR
TPN4R203NCL1QCT
TPN4R203NCL1QTR
TPN4R203NC,L1Q(M

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IRFH8324TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
5744
NÚMERO DE PIEZA
IRFH8324TRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
DMN3008SFGQ-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMN3008SFGQ-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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certification_04
cr
certification_015
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esd
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