Número de Producto del Fabricante:
TPN2R805PL,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPN2R805PL,L1Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Descripción Detallada:
N-Channel 45 V 80A (Tc) 2.67W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventario:
4905 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890929
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ENVIAR
TPN2R805PL,L1Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
45 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 300µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3200 pF @ 22.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPN2R805
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-TPN2R805PL,L1QCT
264-TPN2R805PL,L1QDKR
264-TPN2R805PL,L1QTR
TPN2R805PLL1Q-DG
TPN2R805PLL1Q
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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