Número de Producto del Fabricante:
TPH9R00CQH,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPH9R00CQH,LQ-DG
Descripción:
UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 64A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
9115 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977639
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ENVIAR
TPH9R00CQH,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
64A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5400 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
960mW (Ta), 210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-TPH9R00CQHLQCT
264-TPH9R00CQHLQTR
264-TPH9R00CQHLQDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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