Número de Producto del Fabricante:
TPH8R903NL,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPH8R903NL,LQ-DG
Descripción:
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 1.6W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
3170 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890392
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TPH8R903NL,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
820 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPH8R903
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
TPH8R903NLLQCT
TPH8R903NLLQDKR
TPH8R903NLLQTR
TPH8R903NL,LQ(S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SSM3J35AMFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
DMG3415UFY4-7
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
SSM3J35AFS,LF
MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
