Número de Producto del Fabricante:
TPCF8B01(TE85L,F,M
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventario:
12890298
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ENVIAR
TPCF8B01(TE85L,F,M Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSIII
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 1.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
470 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
330mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
VS-8 (2.9x1.5)
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
TPCF8B01
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
TPCF8B01(TE85LFMDRK
TPCF8B01FDKR-DG
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
TPCF8B01FDKR
TPCF8B01(TE85LFMCT
TPCF8B01(TE85L,F)
TPCF8B01FTR
TPCF8B01(TE85LFMDRK-DG
TPCF8B01(TE85LFMDKR
TPCF8B01TE85LFM
TPCF8B01(TE85L,F,MINACTIVE
TPCF8B01(TE85LFMTR
TPCF8B01(TE85L,F)-DG
TPCF8B01FCT
TPCF8B01FTR-DG
TPCF8B01FCT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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