Número de Producto del Fabricante:
TPCF8201(TE85L,F,M
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPCF8201(TE85L,F,M-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 3A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventario:
12890829
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TPCF8201(TE85L,F,M Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A
rds activados (máx.) @ id, vgs
49mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
590pF @ 10V
Potencia - Máx.
330mW
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos del proveedor
VS-8 (2.9x1.5)
Número de producto base
TPCF8201
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
TPCF8201TR-NDR
TPCF8201(TE85LFMCT
TPCF8201FCT-DG
TPCF8201FTR-DG
TPCF8201FTR
TPCF8201(TE85LFMDKR
TPCF8201(TE85L,F)
TPCF8201(TE85LFMTR
TPCF8201FCT
TPCF8201FDKR
TPCF8201FDKR-DG
TPCF8201TE85LFM
TPCF8201CT-NDR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TPC8211(TE12L,Q,M)
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOP
SSM6L61NU,LF
MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN
SSM6N16FUTE85LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6