Número de Producto del Fabricante:
TK4R1A10PL,S4X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK4R1A10PL,S4X-DG
Descripción:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
48 Pcs Nuevos Originales En Stock
12920915
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ENVIAR
TK4R1A10PL,S4X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6320 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TK4R1A10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK4R1A10PL,S4X(S
264-TK4R1A10PLS4X
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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