TK40E10K3,S1X(S
Número de Producto del Fabricante:

TK40E10K3,S1X(S

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

TK40E10K3,S1X(S-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 40A (Ta) Through Hole TO-220-3

Inventario:

12949760
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

TK40E10K3,S1X(S Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSIV
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
15mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
84 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4000 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK40E10

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK40E10K3S1XS
TK40E10K3S1X(S

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
TK22E10N1,S1X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
11
NÚMERO DE PIEZA
TK22E10N1,S1X-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
diodes

DMNH6012LK3-13

MOSFET N-CH 60V 60A TO252

diodes

DMN5L06KQ-7

MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23

toshiba-semiconductor-and-storage

TK5A55D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 550V 5A TO220SIS

diodes

DMP2900UW-7

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323