Número de Producto del Fabricante:
TK1R4S04PB,LXHQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK1R4S04PB,LXHQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 120A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventario:
2892 Pcs Nuevos Originales En Stock
12938227
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ENVIAR
TK1R4S04PB,LXHQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 60A, 6V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5500 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK+
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TK1R4S04
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
264-TK1R4S04PBLXHQDKR
264-TK1R4S04PBLXHQCT
264-TK1R4S04PBLXHQTR
TK1R4S04PB,LXHQ(O
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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