Número de Producto del Fabricante:
TK17E65W,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK17E65W,S1X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 17.3A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889729
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ENVIAR
TK17E65W,S1X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
200mOhm @ 8.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 900µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1800 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK17E65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK17E65W,S1X(S
TK17E65WS1X
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCP165N60E
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
1200
NÚMERO DE PIEZA
FCP165N60E-DG
PRECIO UNITARIO
1.91
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
572
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
1.23
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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2997
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PRECIO UNITARIO
2.32
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1.63
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PRECIO UNITARIO
1.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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