Número de Producto del Fabricante:
TK170V65Z,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK170V65Z,LQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 18A (Ta) 150W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventario:
4950 Pcs Nuevos Originales En Stock
12979130
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ENVIAR
TK170V65Z,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
170mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 730µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1635 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Caja
4-VSFN Exposed Pad
Número de producto base
TK170V65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
264-TK170V65Z,LQTR-DG
264-TK170V65Z,LQCT-DG
264-TK170V65ZLQTR
264-TK170V65Z,LQCT
264-TK170V65Z,LQTR
264-TK170V65Z,LQDKR-DG
TK170V65Z,LQ(S
264-TK170V65Z,LQDKR
264-TK170V65ZLQCT
264-TK170V65ZLQDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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