Número de Producto del Fabricante:
TK12A60W,S4VX
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK12A60W,S4VX-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
50 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891071
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ENVIAR
TK12A60W,S4VX Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 600µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
890 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TK12A60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK12A60W,S4VX(M
TK12A60WS4VX-DG
264-TK12A60W,S4VX
TK12A60WS4VX
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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