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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
TK100E06N1,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK100E06N1,S1X-DG
Descripción:
MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
11 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889896
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ENVIAR
TK100E06N1,S1X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10500 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
255W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK100E06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
TK100E06N1
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK100E06N1,S1X(S
TK100E06N1S1X
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
AOT260L
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
3440
NÚMERO DE PIEZA
AOT260L-DG
PRECIO UNITARIO
1.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPP020N06NAKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
500
NÚMERO DE PIEZA
IPP020N06NAKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.58
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
CSD18535KCS
FABRICANTE
Texas Instruments
CANTIDAD DISPONIBLE
2411
NÚMERO DE PIEZA
CSD18535KCS-DG
PRECIO UNITARIO
1.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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