Número de Producto del Fabricante:
T2N7002AK,LM
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
T2N7002AK,LM-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventario:
611252 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891382
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ENVIAR
T2N7002AK,LM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.9Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
17 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
320mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
T2N7002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
T2N7002AKLM(BDKR-DG
T2N7002AK,LM(T
T2N7002AKLM(BTR
T2N7002AK,LM(B
T2N7002AKLM(BDKR
T2N7002AKLM(BCT-DG
T2N7002AKLM(BCT
T2N7002AKLMCT
T2N7002AKLMDKR
T2N7002AKLMTR
T2N7002AKLM(BTR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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